规格型号(MPN)：11UF单插片带螺丝

外形尺寸(m)：40*40*60

介电材料：PBD

阻燃等级：1

包装清单：主产品 x 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：GRM0335C1H471GE01D

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

介电材料：C0G，NP0

容值：470pF

精度：±2%

额定电压：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：GRM1555C1H332GE01D

包装方式：卷带（TR）

介电材料：C0G

容值：3.3nF

精度：±2%

额定电压：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：GRM1555C1H472GE01D

包装方式：卷带（TR）

介电材料：C0G，NP0

容值：4700pF

精度：±2%

额定电压：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：GRM1555C1H682GE01D

包装方式：卷带（TR）

介电材料：C0G，NP0

容值：6800pF

精度：±2%

额定电压：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：GRM31C5C1E334GE01L

包装方式：卷带（TR）

介电材料：C0G，NP0

容值：0.33µF

精度：±2%

额定电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3

上升时间：击穿，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3

上升时间：击穿，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3

上升时间：击穿，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3

上升时间：击穿，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3

上升时间：击穿，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3

上升时间：击穿，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

工作温度：-40°C~125°C（TA）

驱动配置：半桥（2）

负载类型：电感，电容性

包装方式：卷带（TR）

峰值灌电流：50A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3

上升时间：击穿，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

工作温度：-40°C~125°C（TA）

驱动配置：半桥（2）

ECCN：EAR99

负载类型：电感，电容性

包装方式：卷带（TR）

峰值灌电流：50A

包装清单：商品主体 * 1