包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95490Q5MCT

上升时间：击穿

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：105A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：75A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：600，"9999"：8}

包装规格(MPQ)：8psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK57FU391A-E

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：IGBT

工作温度：-20°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：15A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD6226FP-E2

上升时间：限流，超温，过压，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~85°C（TA）

负载类型：电感

电源电压：6V~15V

峰值灌电流：1A

驱动配置：半桥（4）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：3，"22+"：1464}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BTN7963BAUMA1

上升时间：限流，超温，过压，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~28V

峰值灌电流：44A

特性：闩锁功能，压摆率受控型，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：42，"19+"：124，"22+"：615}

包装规格(MPQ)：160psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM836-084MA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：27A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：7A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：65000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：R2J20602NP#G3

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：40A

电源电压：7V~7.8V

特性：状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：剪切带（CT）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：16000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：LB1837ML-TLM-E

上升时间：超温

ECCN：EAR99

下降时间：双极性

工作温度：-20°C~80°C（TA）

负载类型：电感

电源电压：3V~9V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97394Q4M

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：1736}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF6823C

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MGD3160AM335EKR2

上升时间：超温，短路

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET，IGBT

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：15A

电源电压：4.5V~40V

峰值灌电流：15A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95372BQ5M

上升时间：限流，超温，击穿，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AP1013CEN

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-30°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：5A

电源电压：2.7V~5.5V

峰值灌电流：1.3A

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：16000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：LA6585TFA-BH

上升时间：超温

ECCN：EAR99

下降时间：双极性

工作温度：-30°C~90°C（TA）

负载类型：电感

电源电压：2.2V~14V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN8841MPX

上升时间：ESD，过压，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：2.7V~5.5V

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：54，"15+"：468，"16+"：199}

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK5F4U3E2D-E

上升时间：限流，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：IGBT

工作温度：-20°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：100A

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：散装

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：48000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302035MNTWG

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：MOSFET（金属氧化物）

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：70A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：3000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF5826DC

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：Bootstrap Circuit，Latch Function，Status Flag

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：2893}

销售单位：个

规格型号(MPN)：LA6585MC-AH-M

上升时间：超温

ECCN：EAR99

下降时间：双极性

工作温度：-30°C~90°C（TA）

负载类型：电感

电源电压：2.2V~14V

峰值灌电流：700mA

特性：带有自动重启功能

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MP86998GMJT-P

上升时间：限流，ESD，超温，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：125A

电源电压：3V~3.6V

峰值灌电流：80A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95490Q5MCT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：105A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：75A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"12+"：493，"19+"：18000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：LB1837M-TLM-E

上升时间：超温

ECCN：EAR99

下降时间：双极性

工作温度：-20°C~80°C（TA）

负载类型：电感

电源电压：3V~9V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：6000，"9999"：1605}

销售单位：个

规格型号(MPN)：LV8014T-TLM-E

上升时间：超温

ECCN：EAR99

下降时间：DMOS

工作温度：-20°C~75°C（TA）

负载类型：电感

峰值拉电流：2.5A

电源电压：2.7V~5.5V

峰值灌电流：1.4A

驱动配置：半桥（4）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"24+"：243}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF5822DC

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：55A

特性：Bootstrap Circuit，Latch Function，Status Flag

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：238}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-055DA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.4A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AOZ5279QI-01

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：150A

电源电压：3V~25V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：1680}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-035DA2

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.1A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：1680，"19+"：17040}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-044DA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：3A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8332HDDV

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~175°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：7A

电源电压：10.8V~13.2V

峰值灌电流：5A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95472Q5MC

上升时间：限流，超温

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1