采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STDRIVE601
上升时间：过流，超温，UVLO
下降时间：功率 MOSFET，IGBT
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：350mA
电源电压：9V~20V
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：托盘
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL55110IVZ-T7A
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：3.5A
电源电压：2.7V~5.5V
峰值灌电流：100mA
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL55110IVZ-T7A
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：3.5A
电源电压：2.7V~5.5V
峰值灌电流：100mA
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL55110IVZ-T7A
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：3.5A
电源电压：2.7V~5.5V
峰值灌电流：100mA
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：760psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP4081AIBZ
ECCN：EAR99
下降时间：N 沟道 MOSFET
工作温度：-40°C~85°C（TA）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：2.6A
电源电压：9.5V~15V
特性：自举电路
驱动配置：半桥，全桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP4081AIBZT
下降时间：N 沟道 MOSFET
工作温度：-40°C~85°C（TA）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：2.6A
电源电压：9.5V~15V
特性：自举电路
驱动配置：半桥，全桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STDRIVE601
上升时间：过流，超温，UVLO
下降时间：功率 MOSFET，IGBT
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：350mA
电源电压：9V~20V
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：托盘
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL55110IVZ-T7A
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：3.5A
电源电压：2.7V~5.5V
峰值灌电流：100mA
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL55110IVZ-T7A
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：3.5A
电源电压：2.7V~5.5V
峰值灌电流：100mA
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV7725DQBR2G
上升时间：过流，超温
下降时间：NMOS
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：1.1A
电源电压：3.15V~5.25V
峰值灌电流：500mA
特性：充电泵
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL55110IVZ-T7A
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：3.5A
电源电压：2.7V~5.5V
峰值灌电流：100mA
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：POWER INTEGRATIONS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD1161C-TL
上升时间：限流，超温，过压
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值灌电流：1.7A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL55110IVZ-T7A
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：3.5A
电源电压：2.7V~5.5V
峰值灌电流：100mA
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP4080AIBZT
下降时间：N 沟道 MOSFET
工作温度：-40°C~85°C（TA）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：2.6A
电源电压：9.5V~15V
特性：自举电路
驱动配置：全桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP4080AIBZT
下降时间：N 沟道 MOSFET
工作温度：-40°C~85°C（TA）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：2.6A
电源电压：9.5V~15V
特性：自举电路
驱动配置：全桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP4080AIBZT
ECCN：EAR99
下降时间：N 沟道 MOSFET
工作温度：-40°C~85°C（TA）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：2.6A
电源电压：9.5V~15V
特性：自举电路
驱动配置：全桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP4081AIBZT
下降时间：N 沟道 MOSFET
工作温度：-40°C~85°C（TA）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：2.6A
电源电压：9.5V~15V
特性：自举电路
驱动配置：半桥，全桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV7725DQBR2G
上升时间：过流，超温
下降时间：NMOS
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：1.1A
电源电压：3.15V~5.25V
峰值灌电流：500mA
特性：充电泵
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：POWER INTEGRATIONS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD1161C-TL
上升时间：限流，超温，过压
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值灌电流：1.7A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP4081AIBZT
ECCN：EAR99
下降时间：N 沟道 MOSFET
工作温度：-40°C~85°C（TA）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：2.6A
电源电压：9.5V~15V
特性：自举电路
驱动配置：半桥，全桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：760psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP4081AIBZ
ECCN：EAR99
下降时间：N 沟道 MOSFET
工作温度：-40°C~85°C（TA）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：2.6A
电源电压：9.5V~15V
特性：自举电路
驱动配置：半桥，全桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV7725DQBR2G
上升时间：过流，超温
下降时间：NMOS
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：1.1A
电源电压：3.15V~5.25V
峰值灌电流：500mA
特性：充电泵
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP4080AIBZT
下降时间：N 沟道 MOSFET
工作温度：-40°C~85°C（TA）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：2.6A
电源电压：9.5V~15V
特性：自举电路
驱动配置：全桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP4080AIBZT
下降时间：N 沟道 MOSFET
工作温度：-40°C~85°C（TA）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：2.6A
电源电压：9.5V~15V
特性：自举电路
驱动配置：全桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP4081AIBZT
下降时间：N 沟道 MOSFET
工作温度：-40°C~85°C（TA）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：2.6A
电源电压：9.5V~15V
特性：自举电路
驱动配置：半桥，全桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：720psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP4080AIPZ
ECCN：EAR99
下降时间：N 沟道 MOSFET
工作温度：-40°C~85°C（TA）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：2.6A
电源电压：9.5V~15V
特性：自举电路
驱动配置：全桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STDRIVE601TR
上升时间：过流，超温，UVLO
下降时间：功率 MOSFET，IGBT
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：350mA
电源电压：9V~20V
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP4081AIBZT
ECCN：EAR99
下降时间：N 沟道 MOSFET
工作温度：-40°C~85°C（TA）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：2.6A
电源电压：9.5V~15V
特性：自举电路
驱动配置：半桥，全桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STDRIVE601
上升时间：过流，超温，UVLO
下降时间：功率 MOSFET，IGBT
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：350mA
电源电压：9V~20V
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：托盘
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP4080AIBZT
ECCN：EAR99
下降时间：N 沟道 MOSFET
工作温度：-40°C~85°C（TA）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：2.6A
电源电压：9.5V~15V
特性：自举电路
驱动配置：全桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
