销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI609SIATR

上升时间：22ns，15ns

驱动通道数：单路

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A，9A

是否隔离：反相

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN609SITR

上升时间：22ns，15ns

驱动通道数：单路

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A，9A

是否隔离：非反相

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI609SI

上升时间：22ns，15ns

驱动通道数：单路

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A，9A

是否隔离：反相

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI609SIATR

上升时间：22ns，15ns

驱动通道数：单路

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A，9A

是否隔离：反相

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI609SIATR

上升时间：22ns，15ns

驱动通道数：单路

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A，9A

是否隔离：反相

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDF604SITR

上升时间：9ns，8ns

驱动通道数：独立式

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A，4A

是否隔离：反相，非反相

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：35psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD106AI-17 UC

上升时间：100ns，80ns

ECCN：EAR99

工作温度：-40°C~85°C（TA）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：15V

峰值灌电流：6A，6A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI630MCI

上升时间：11ns，11ns

驱动通道数：单路

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：9V~35V

峰值灌电流：30A，30A

是否隔离：反相

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN609SITR

上升时间：22ns，15ns

驱动通道数：单路

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A，9A

是否隔离：非反相

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD604SIATR

上升时间：9ns，8ns

驱动通道数：独立式

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A，4A

是否隔离：非反相

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD604D2TR

上升时间：9ns，8ns

驱动通道数：独立式

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A，4A

是否隔离：非反相

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD609D2TR

上升时间：22ns，15ns

驱动通道数：单路

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A，9A

是否隔离：非反相

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI604SIATR

上升时间：9ns，8ns

驱动通道数：独立式

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A，4A

是否隔离：反相

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD604SIATR

上升时间：9ns，8ns

驱动通道数：独立式

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A，4A

是否隔离：非反相

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：35psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD106AI-17 UC

上升时间：100ns，80ns

ECCN：EAR99

工作温度：-40°C~85°C（TA）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：15V

峰值灌电流：6A，6A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD609D2TR

上升时间：22ns，15ns

驱动通道数：单路

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A，9A

是否隔离：非反相

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI609SIA

上升时间：22ns，15ns

驱动通道数：单路

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A，9A

是否隔离：反相

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI604SIATR

上升时间：9ns，8ns

驱动通道数：独立式

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A，4A

是否隔离：反相

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD609D2TR

上升时间：22ns，15ns

驱动通道数：单路

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A，9A

是否隔离：非反相

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD630CI

上升时间：11ns，11ns

驱动通道数：单路

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：12.5V~35V

峰值灌电流：30A，30A

是否隔离：非反相

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI604SIATR

上升时间：9ns，8ns

驱动通道数：独立式

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A，4A

是否隔离：反相

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI609SIA

上升时间：22ns，15ns

驱动通道数：单路

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A，9A

是否隔离：反相

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI614SITR

上升时间：25ns，18ns

驱动通道数：单路

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A，14A

是否隔离：反相

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI609SIA

上升时间：22ns，15ns

驱动通道数：单路

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A，9A

是否隔离：反相

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN614SI

上升时间：25ns，18ns

驱动通道数：单路

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A，14A

是否隔离：非反相

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD630CI

上升时间：11ns，11ns

驱动通道数：单路

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：12.5V~35V

峰值灌电流：30A，30A

是否隔离：非反相

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD609D2TR

上升时间：22ns，15ns

驱动通道数：单路

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A，9A

是否隔离：非反相

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD604SIATR

上升时间：9ns，8ns

驱动通道数：独立式

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A，4A

是否隔离：非反相

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD604D2TR

上升时间：9ns，8ns

驱动通道数：独立式

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A，4A

是否隔离：非反相

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN614SI

上升时间：25ns，18ns

驱动通道数：单路

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A，14A

是否隔离：非反相

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1