销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27325DR

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4431VOA713

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~30V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4420EOA713

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2EDL23N06PJXUMA1

上升时间：48ns

驱动通道数：2

下降时间：37ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~17.5V

峰值灌电流：1.8A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：80psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC37321DGN

上升时间：20ns

驱动通道数：1

下降时间：20ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4V~15V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：4072}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN3278TMX

上升时间：21ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：8V~27V

峰值灌电流：1A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IX4427NTR

上升时间：10ns

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~30V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IX4428NTR

上升时间：10ns

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~30V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4428AEPA

上升时间：25ns

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4427COA

上升时间：19ns

驱动通道数：2

下降时间：19ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4432VOA

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~30V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4427YN

上升时间：20ns

驱动通道数：2

下降时间：29ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4428YM

上升时间：20ns

驱动通道数：2

下降时间：29ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：2128

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4427AEOA

上升时间：25ns

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：16-QFN

上升时间：7ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：7ns

工作温度：-20℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：5V~10V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4124YME

上升时间：11ns

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27323DGNR

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC37324DR

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC426EOA713

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：80psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27424DGN

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2EDF8275FXUMA1

上升时间：6.5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：4.5ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：8A

电源电压：20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2EDF7275KXUMA2

上升时间：6.5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：4.5ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：8A

电源电压：20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27324DR

上升时间：20ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1427COA713

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1413NEOA713

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27424DGNR

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4427VOA

上升时间：19ns

驱动通道数：2

下降时间：19ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27424DGNR

上升时间：20ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4420COA713

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27323DR

上升时间：20ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1