销售单位：个

规格型号(MPN)：16-QFN

上升时间：7ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：7ns

工作温度：-20℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：5V~10V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：720psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：HIP4081AIPZ

上升时间：10ns

驱动通道数：4

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~+85℃

负载类型：MOSFET

峰值拉电流：2.6A

电源电压：9.5V~15V

峰值灌电流：2.4A

驱动配置：半桥；全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4469EPD

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4606-2YTS-TR

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：5.25V~16V

峰值灌电流：1A

驱动配置：全桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4468ZN

上升时间：14ns

驱动通道数：4

下降时间：13ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MD1821K6-G

上升时间：7ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：7ns

工作温度：-20℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：5V~10V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：EL7457CUZ-T7

上升时间：13.5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：13ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：A89506KLPTR

驱动通道数：4

工作温度：-40℃~135℃

负载类型：N沟道MOSFET

驱动配置：全桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4469YWM

上升时间：14ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：13ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4469EOE

上升时间：15ns

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：2459}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6610CBZ

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：8ns

工作温度：0℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4469YWM

上升时间：14ns

驱动通道数：4

下降时间：13ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4469COE

上升时间：15ns

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：EL7457CLZ-T7

上升时间：13.5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：13ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TLE7182EMXUMA1

上升时间：250ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：200ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：7V~34V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4467ZWM

上升时间：14ns

驱动通道数：4

下降时间：13ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：EL7457CSZ-T7

上升时间：13.5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：13ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MD1822K6-G

上升时间：7ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：7ns

工作温度：-20℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：5V~10V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4468COE713

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：2459}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6610CBZ

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：8ns

工作温度：0℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4468EOE

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：2459}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6610CBZ

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：8ns

工作温度：0℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：760psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：HIP4080AIBZ

上升时间：10ns

驱动通道数：4

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~+125℃

负载类型：MOSFET

峰值拉电流：2.6A

电源电压：9.5V~15V

峰值灌电流：2.4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPIC44H01DA

驱动通道数：4

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：高端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：38psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：LT1161ISW#PBF

驱动通道数：4

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：8V~48V

驱动配置：高端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4468COE

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：EL7457CUZ-T7

上升时间：13.5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：13ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：EL7457CUZ-T7

上升时间：13.5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：13ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MD1821K6-G

上升时间：7ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：7ns

工作温度：-20℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：5V~10V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4468ZWM

上升时间：14ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：13ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1