包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP14A1201-E/SN

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：12A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：12A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1404-E/SN

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4421AVOA

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI609SI

上升时间：22ns

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN614SI

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：18ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN604SI

上升时间：9ns

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1406-E/SN

上升时间：20ns

驱动通道数：1

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP14A1201-E/SN

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：12A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：12A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4421AVOA

上升时间：38ns

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN614SI

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：18ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD604SIA

上升时间：9ns

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4405COA

上升时间：40ns

驱动通道数：2

下降时间：40ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI609SIA

上升时间：22ns

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1406-E/SN

上升时间：20ns

驱动通道数：1

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4451VOA

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：32ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：13A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：13A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4452VOA

上升时间：30ns

驱动通道数：1

下降时间：32ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：13A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：13A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI604SIA

上升时间：9ns

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP14E5-E/SN

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4452VOA

上升时间：30ns

驱动通道数：1

下降时间：32ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：13A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：13A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4451VOA

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：32ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：13A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：13A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1407-E/SN

上升时间：20ns

驱动通道数：1

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1407-E/SN

上升时间：20ns

驱动通道数：1

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1406-E/SN

上升时间：20ns

驱动通道数：1

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1407-E/SN

上升时间：20ns

驱动通道数：1

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN609SI

上升时间：22ns

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1407-E/SN

上升时间：20ns

驱动通道数：1

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP14A1202-E/SN

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：12A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：12A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP14E3-E/SN

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4421AVOA

上升时间：38ns

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD604SI

上升时间：9ns

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1