采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6384ED
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-45℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：14.6V~16.6V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6385ED
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6385ED
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6387ED
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-45℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：L6387ED
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-45℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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规格型号(MPN)：L6387ED
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-45℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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规格型号(MPN)：L6387ED
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-45℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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规格型号(MPN)：L6384ED
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-45℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：14.6V~16.6V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：L6387ED
上升时间：50ns
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下降时间：30ns
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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规格型号(MPN)：L6384ED
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
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峰值拉电流：650mA
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峰值灌电流：400mA
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包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：L6387ED
上升时间：50ns
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下降时间：30ns
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：L6387ED
上升时间：50ns
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下降时间：30ns
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
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库存：
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下降时间：30ns
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峰值拉电流：650mA
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峰值灌电流：400mA
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峰值灌电流：400mA
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下降时间：30ns
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电源电压：14.6V~16.6V
峰值灌电流：400mA
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峰值灌电流：400mA
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峰值灌电流：400mA
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电源电压：14.6V~16.6V
峰值灌电流：400mA
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库存：
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峰值灌电流：400mA
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峰值灌电流：400mA
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电源电压：14.6V~16.6V
峰值灌电流：400mA
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峰值灌电流：400mA
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峰值灌电流：400mA
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下降时间：30ns
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
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上升时间：50ns
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下降时间：30ns
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
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下降时间：30ns
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工作温度：-45℃~125℃
驱动配置：半桥
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驱动通道数：2
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
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