包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI609SI

上升时间：22ns

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN614SI

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：18ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN604SI

上升时间：9ns

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN614SI

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：18ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI609SI

上升时间：22ns，15ns

驱动通道数：单路

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A，9A

是否隔离：反相

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD604SIA

上升时间：9ns

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI609SIA

上升时间：22ns

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI604SIA

上升时间：9ns

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN609SI

上升时间：22ns

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD604SI

上升时间：9ns

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD604SI

上升时间：9ns

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD604SI

上升时间：9ns

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN609SI

上升时间：22ns

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN604SI

上升时间：9ns

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD604SI

上升时间：9ns

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD609SIA

上升时间：22ns

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN614SI

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：18ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD609SIA

上升时间：22ns

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI609SIA

上升时间：22ns，15ns

驱动通道数：单路

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A，9A

是否隔离：反相

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI604SIA

上升时间：9ns

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN609SI

上升时间：22ns

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI609SIA

上升时间：22ns

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN604SI

上升时间：9ns

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN609SI

上升时间：22ns

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDF602SIA

上升时间：7.5ns

驱动通道数：2

下降时间：6.5ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI609SIA

上升时间：22ns，15ns

驱动通道数：单路

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A，9A

是否隔离：反相

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN609SI

上升时间：22ns

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD609SIA

上升时间：22ns

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI609SIA

上升时间：22ns，15ns

驱动通道数：单路

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A，9A

是否隔离：反相

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN614SI

上升时间：25ns，18ns

驱动通道数：单路

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A，14A

是否隔离：非反相

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1