采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6386ED
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驱动通道数：2
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
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规格型号(MPN)：L6387E
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峰值拉电流：2.4A
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峰值拉电流：2.4A
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负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
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包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
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峰值拉电流：2.4A
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包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
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ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
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峰值灌电流：2.7A
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包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
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生产批次：{"02+"：650，"04+"：1600，"05+"：9700，"06+"：3500，"08+"：1900，"13+"：4625，"99+"：1803，"MI+"：192}
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包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
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