包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UC3708N

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：5V~35V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN614YI

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：18ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN614PI

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：18ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4429CAT

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6494LD

上升时间：25ns

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4429CAT

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN614CI

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：18ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN614PI

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：18ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD614YI

上升时间：25ns

驱动通道数：1 Driver

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~+125℃

负载类型：IGBT， MOSFET Gate Drivers

驱动配置：Low-Side

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN614YI

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：18ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN614YI

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：18ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN614CI

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：18ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI614CI

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：18ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI614PI

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：18ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS4427PBF

上升时间：25ns

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.3A

电源电压：6V~20V

峰值灌电流：2.3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：1039，"18+"：8900}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2011PBF

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：102000，"9999"：175}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS4427PBF

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.3A

电源电压：6V~20V

峰值灌电流：2.3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN614PI

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：18ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN614PI

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：18ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS4427PBF

上升时间：25ns

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.3A

电源电压：6V~20V

峰值灌电流：2.3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD614YI

上升时间：25ns

驱动通道数：1 Driver

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~+125℃

负载类型：IGBT， MOSFET Gate Drivers

驱动配置：Low-Side

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD614PI

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：18ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD614YI

上升时间：25ns

驱动通道数：1 Driver

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~+125℃

负载类型：IGBT， MOSFET Gate Drivers

驱动配置：Low-Side

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4420ZN

上升时间：25ns

驱动通道数：1 Driver

下降时间：25ns

工作温度：0℃~+70℃

负载类型：MOSFET Gate Drivers

电源电压：4.5V~18V

驱动配置：Low-Side

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS4427PBF

上升时间：25ns

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.3A

电源电压：6V~20V

峰值灌电流：2.3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：1039，"18+"：8900}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2011PBF

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4420CAT

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD614PI

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：18ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UC2708N

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-25℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：5V~35V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：1039，"18+"：8900}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2011PBF

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1