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销售单位：个

规格型号(MPN)：TPS2812P

上升时间：14ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4V~14V

峰值灌电流：2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPS2811P

上升时间：14ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4V~14V

峰值灌电流：2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPS2814P

上升时间：14ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

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峰值灌电流：2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MC33153PG

上升时间：17ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

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峰值灌电流：1A

驱动配置：低端

包装方式：管件

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包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MC33153PG

上升时间：17ns

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

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驱动配置：低端

包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：EL7202CN

上升时间：7.5ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

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驱动配置：低端

包装方式：管件

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生产批次：{"00+"：541，"02+"：3550，"03+"：4304，"05+"：2943，"MI+"：194}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：TPS2815P

上升时间：14ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

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包装方式：管件

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生产批次：{"00+"：541，"02+"：3550，"03+"：4304，"05+"：2943，"MI+"：194}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：TPS2815P

上升时间：14ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

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包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：TPS2812P

上升时间：14ns

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MC33153PG

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驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

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包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MC33153PG

上升时间：17ns

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

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包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MC33153PG

上升时间：17ns

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：11V~20V

峰值灌电流：1A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPS2814P

上升时间：14ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4V~14V

峰值灌电流：2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPS2812P

上升时间：14ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4V~14V

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包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPS2815P

上升时间：14ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

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峰值灌电流：2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MC33153PG

上升时间：17ns

驱动通道数：1

下降时间：17ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

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峰值灌电流：1A

驱动配置：低端

包装方式：管件

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包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI602PI

上升时间：7.5ns

ECCN：EAR99

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负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

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驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPS2812P

上升时间：14ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

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包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI602PI

上升时间：7.5ns

驱动通道数：2

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPS2812P

上升时间：14ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4V~14V

峰值灌电流：2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI602PI

上升时间：7.5ns

驱动通道数：2

下降时间：6.5ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

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驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPS2814P

上升时间：14ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4V~14V

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包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：150，"MI+"：446，"10+"：19709，"16+"：2200，"05+"：10400}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：UC3715N

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

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峰值灌电流：1A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：150，"MI+"：446，"10+"：19709，"16+"：2200，"05+"：10400}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UC3715N

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

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驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：150，"MI+"：446，"10+"：19709，"16+"：2200，"05+"：10400}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UC3715N

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

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驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"07+"：16414，"MI+"：1300，"98+"：1122，"97+"：1750，"06+"：127}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPS2814P

上升时间：14ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4V~14V

峰值灌电流：2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI602PI

上升时间：7.5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6.5ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

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峰值灌电流：2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"08+"：35，"11+"：14855，"12+"：50，"13+"：38，"MI+"：1990}

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规格型号(MPN)：MC33153PG

上升时间：17ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

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峰值灌电流：1A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MC33153PG

上升时间：17ns

驱动通道数：1

下降时间：17ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：11V~20V

峰值灌电流：1A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN602PI

上升时间：7.5ns

驱动通道数：2

下降时间：6.5ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1