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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2118PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高端

包装方式：管件

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包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN75372P

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.75V~5.25V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：管件

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包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

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驱动配置：高端

包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117PBF

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ECCN：EAR99

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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规格型号(MPN)：NCP5104PG

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2118PBF

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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包装方式：管件

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2118PBF

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2118PBF

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驱动通道数：1

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117PBF

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2127PBF

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驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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包装方式：管件

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包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

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包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2127PBF

上升时间：80ns

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

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驱动配置：高端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117PBF

上升时间：80ns

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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包装方式：管件

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生产批次：{"07+"：1977，"08+"：2250，"11+"：2884}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5106APG

上升时间：85ns

ECCN：EAR99

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2127PBF

上升时间：80ns

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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驱动配置：高压侧或低压侧

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5104PG

上升时间：85ns

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：30，"21+"：1984}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2118PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5104PG

上升时间：85ns

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2127PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：12V~20V

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包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2127PBF

上升时间：80ns

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：12V~20V

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包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：141，"21+"：1800，"22+"：7544，"24+"：2000}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117PBF

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ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

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驱动配置：高端

包装方式：管件

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生产批次：{"22+"：1900，"23+"：269，"24+"：1731}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2127PBF

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ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：12V~20V

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包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2118PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：14900}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5104PG

上升时间：85ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"07+"：3302，"9999"：342}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5304PG

上升时间：85ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1