包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MP86998GMJT-P

上升时间：限流，ESD，超温，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：125A

电源电压：3V~3.6V

峰值灌电流：80A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AOZ5507QI

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：80A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：30A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：1651，"22+"：1947}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF3037

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AOZ5332QI

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：120A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MP86920GLV-Z

上升时间：限流，ESD，超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：3V~3.6V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97396Q4MT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：65A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：30A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF3037

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AOZ5116QI-01

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：120A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：55A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AOZ5332QI

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：120A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MP86998GMJT-P

上升时间：限流，ESD，超温，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：125A

电源电压：3V~3.6V

峰值灌电流：80A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AOZ5116QI-01

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：120A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：55A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MP86920GLV-P

上升时间：限流，ESD，超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：3V~3.6V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MP86998GMJT-Z

上升时间：限流，ESD，超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：125A

电源电压：3V~3.6V

峰值灌电流：80A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MP86998GMJT-Z

上升时间：限流，ESD，超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：125A

电源电压：3V~3.6V

峰值灌电流：80A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95410RRBT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感

峰值拉电流：80A

特性：自举电路，二极管仿真

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95410RRBT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感

峰值拉电流：80A

特性：自举电路，二极管仿真

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MP86998GMJT-P

上升时间：限流，ESD，超温，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：125A

电源电压：3V~3.6V

峰值灌电流：80A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AOZ5116QI-01

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：120A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：55A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MP86920GLV-P

上升时间：限流，ESD，超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：3V~3.6V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AOZ5016QI

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：120A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：55A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AOZ5016QI

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：120A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：55A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AOZ5332QI

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：120A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MP86998GMJT-P

上升时间：限流，ESD，超温，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：125A

电源电压：3V~3.6V

峰值灌电流：80A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AOZ5116QI-01

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：120A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：55A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF3037

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95410RRBT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感

峰值拉电流：80A

特性：自举电路，二极管仿真

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1