销售单位：个

规格型号(MPN)：FLS6617MX

拓扑结构：反激

晶体管耐压：900V

输出隔离：隔离

工作温度：-40°C~125°C（TA）

包装方式：卷带（TR）

最大占空比：75%

开关频率：50kHz

电源电压：5V~30V

特性：限流，超温，过压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN501AMPX

拓扑结构：反激

输出隔离：隔离

工作温度：-40°C~125°C（TA）

包装方式：卷带（TR）

最大占空比：68.5%

开关频率：85kHz~140kHz

电源电压：6V~30V

特性：限流，超温，过压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN501AMPX

电源电压：6V~30V

特性：限流，超温，过压

输出隔离：隔离

拓扑结构：反激

最大占空比：68.5%

开关频率：85kHz~140kHz

工作温度：-40°C~125°C（TA）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：48000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302035MNTWG

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：MOSFET（金属氧化物）

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：70A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：1794，"22+"：3000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302040MNTWG

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：MOSFET（金属氧化物）

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：75A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：178，"21+"：150000，"MI+"：9000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP303151AMNTWG

ECCN：EAR99

工作温度：-40°C~125°C（TA）

电源电压：4.5V~5.5V

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：178，"21+"：150000，"MI+"：9000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP303151AMNTWG

ECCN：EAR99

工作温度：-40°C~125°C（TA）

电源电压：4.5V~5.5V

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：26480，"20+"：6000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302035MNTWG

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：MOSFET（金属氧化物）

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：70A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：1794，"22+"：3000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302040MNTWG

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：MOSFET（金属氧化物）

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：75A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302035MNTWG

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：MOSFET（金属氧化物）

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：70A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：772，"22+"：138000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP303151AMNTWG

ECCN：EAR99

工作温度：-40°C~125°C（TA）

电源电压：4.5V~5.5V

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302035MNTWG

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：MOSFET（金属氧化物）

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：70A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：21000，"21+"：54000，"22+"：63000，"MI+"：12000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302040MNTWG

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：MOSFET（金属氧化物）

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：75A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：26480，"20+"：6000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302035MNTWG

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：MOSFET（金属氧化物）

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：70A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：21000，"21+"：54000，"22+"：63000，"MI+"：12000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302040MNTWG

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：MOSFET（金属氧化物）

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：75A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302035MNTWG

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：MOSFET（金属氧化物）

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：70A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302035MNTWG

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：MOSFET（金属氧化物）

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：70A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302035MNTWG

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：MOSFET（金属氧化物）

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：70A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302035MNTWG

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：MOSFET（金属氧化物）

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：70A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：48000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302035MNTWG

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：MOSFET（金属氧化物）

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：70A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：48000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302035MNTWG

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：MOSFET（金属氧化物）

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：70A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302040MNTWG

上升时间：超温，UVLO

下降时间：MOSFET（金属氧化物）

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：75A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302040MNTWG

上升时间：超温，UVLO

下降时间：MOSFET（金属氧化物）

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：75A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP303151AMNTWG

工作温度：-40°C~125°C（TA）

电源电压：4.5V~5.5V

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP303151AMNTWG

工作温度：-40°C~125°C（TA）

电源电压：4.5V~5.5V

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP303151AMNTWG

工作温度：-40°C~125°C（TA）

电源电压：4.5V~5.5V

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302035MNTWG

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：MOSFET（金属氧化物）

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：70A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302040MNTWG

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：MOSFET（金属氧化物）

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：75A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：772，"22+"：138000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP303151AMNTWG

ECCN：EAR99

工作温度：-40°C~125°C（TA）

电源电压：4.5V~5.5V

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：178，"21+"：150000，"MI+"：9000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP303151AMNTWG

ECCN：EAR99

工作温度：-40°C~125°C（TA）

电源电压：4.5V~5.5V

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1