生产批次：{"04+"：1000，"07+"：610，"HH+"：44}

销售单位：个

工作温度：0℃~70℃

包装方式：管件

电源电压：10.8V~13.2V

类型：无刷DC（BLDC）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"04+"：1000，"07+"：610，"HH+"：44}

销售单位：个

工作温度：0℃~70℃

包装方式：管件

电源电压：10.8V~13.2V

类型：无刷DC（BLDC）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：2477}

销售单位：个

工作温度：0℃~70℃

包装方式：卷带（TR）

电源电压：10.8V~13.2V

类型：有刷直流

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：2477}

销售单位：个

工作温度：0℃~70℃

包装方式：卷带（TR）

电源电压：10.8V~13.2V

类型：有刷直流

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"04+"：1000，"07+"：610，"HH+"：44}

销售单位：个

工作温度：0℃~70℃

包装方式：管件

电源电压：10.8V~13.2V

类型：无刷DC（BLDC）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：0℃~70℃

包装方式：管件

电源电压：10.8V~13.2V

类型：无刷DC（BLDC）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：2477}

销售单位：个

工作温度：0℃~70℃

包装方式：卷带（TR）

电源电压：10.8V~13.2V

类型：有刷直流

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"04+"：1000，"07+"：610，"HH+"：44}

销售单位：个

工作温度：0℃~70℃

包装方式：管件

电源电压：10.8V~13.2V

类型：无刷DC（BLDC）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"04+"：1000，"07+"：610，"HH+"：44}

工作温度：0℃~70℃

包装方式：管件

类型：无刷DC（BLDC）

电源电压：10.8V~13.2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"18+"：2477}

工作温度：0℃~70℃

类型：有刷直流

包装方式：卷带（TR）

电源电压：10.8V~13.2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"04+"：1000，"07+"：610，"HH+"：44}

工作温度：0℃~70℃

包装方式：管件

类型：无刷DC（BLDC）

电源电压：10.8V~13.2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8332HDDV

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~175°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：7A

电源电压：10.8V~13.2V

峰值灌电流：5A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6612CRZ-T

上升时间：26ns

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：0℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：10.8V~13.2V

峰值灌电流：1.25A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CHL8510CRT

上升时间：21ns

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：0℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10.8V~13.2V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8412DDW

ECCN：EAR99

工作温度：-40℃~+150℃

电源电压：10.8V~13.2V

特性：过流保护(OCP)；过热保护(OPT)；短路保护(SCP)

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：6.5A

电源电压：10.8V~13.2V

峰值灌电流：3.5A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6612ACBZ-T

上升时间：26ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：0℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：10.8V~13.2V

峰值灌电流：1.25A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8412DDW

工作温度：-40℃~+150℃

电源电压：10.8V~13.2V

特性：过流保护(OCP)；过热保护(OPT)；短路保护(SCP)

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6612ACBZ-T

上升时间：26ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：0℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：10.8V~13.2V

峰值灌电流：1.25A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDW

ECCN：EAR99

工作温度：-40℃~+150℃

电源电压：10.8V~13.2V

特性：过流保护(OCP)；过热保护(OPT)；短路保护(SCP)

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6612ACBZ-T

上升时间：26ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：0℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：10.8V~13.2V

峰值灌电流：1.25A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：6.5A

电源电压：10.8V~13.2V

峰值灌电流：3.5A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8332HDDV

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~175°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：7A

电源电压：10.8V~13.2V

峰值灌电流：5A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6612CRZ-T

上升时间：26ns

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：0℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：10.8V~13.2V

峰值灌电流：1.25A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：6.5A

电源电压：10.8V~13.2V

峰值灌电流：3.5A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6612CRZ-T

上升时间：26ns

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：0℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：10.8V~13.2V

峰值灌电流：1.25A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：6.5A

电源电压：10.8V~13.2V

峰值灌电流：3.5A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDW

ECCN：EAR99

工作温度：-40℃~+150℃

电源电压：10.8V~13.2V

特性：过流保护(OCP)；过热保护(OPT)；短路保护(SCP)

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8412DDW

工作温度：-40℃~+150℃

电源电压：10.8V~13.2V

特性：过流保护(OCP)；过热保护(OPT)；短路保护(SCP)

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CHL8510CRT

上升时间：21ns

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：0℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10.8V~13.2V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1