包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1404-E/SN

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4224YMME-TR

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4224YMME

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4469EPD

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP14E5-E/P

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4469EOE

上升时间：15ns

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DGD0216WT-7

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：1.8A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4224YMME

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4469COE

上升时间：15ns

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DGD0211CWT-7

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：1.8A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4468COE713

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP14E4-E/SN

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~+150℃

负载类型：MOSFET；IGBT

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低边

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4468EOE

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DGD0211CWT-7

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：1.8A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP14E5-E/P

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4468COE

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4224YM

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP14E4-E/P

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DGD0216WT-7

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：1.8A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP14E5-E/SN

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4469COE

上升时间：15ns

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4469CPD

上升时间：15ns

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4468EOE

上升时间：15ns

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4468COE

上升时间：15ns

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DGD0211CWT-7

上升时间：15ns

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：1.8A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4468COE

上升时间：15ns

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4224YMME-TR

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP14E3-E/SN

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4468COE

上升时间：15ns

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4224YM-TR

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1