品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):2ED020I12FAXUMA2
上升时间:30ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2.4A
电源电压:13V~20V
峰值灌电流:2.4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4422AVOA713
上升时间:38ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:33ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:10A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:10A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXDD609YI
上升时间:22ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:9A
电源电压:4.5V~35V
峰值灌电流:9A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4421AVOA
上升时间:38ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:33ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:10A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:10A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP1416T-E/OT
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):60psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4422CPA
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:60ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:9A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:9A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):1EBN1001AEXUMA1
上升时间:50ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:90ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:13V~18V
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):2ED020I12FAXUMA2
上升时间:30ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2.4A
电源电压:13V~20V
峰值灌电流:2.4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC21530QDWKQ1
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~130℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:3V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):2EDL05N06PJXUMA1
上升时间:48ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:24ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:10V~25V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:POWER INTEGRATIONS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD315AI UL
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
工作温度:-40℃~85℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:18A
电源电压:15V
峰值灌电流:18A
驱动配置:半桥
包装方式:托盘
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC21530DWK
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~130℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:3V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27712QDRQ1
上升时间:16ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2.8A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:1.8A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):60psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4421EPA
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:60ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:9A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:9A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6EDL04N06PTXUMA1
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:10V~17.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):60psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4422AVPA
上升时间:38ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:33ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:10A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:10A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC21530DWKR
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~130℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:3V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4451VAT
上升时间:30ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:32ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:13A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:13A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"18+":5,"19+":55,"23+":12241}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRS2336STR
上升时间:125ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):2EDL05N06PJXUMA1
上升时间:48ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:24ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:10V~25V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27712D
上升时间:16ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2.8A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:1.8A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4422CAT
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:60ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:9A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:9A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27710DR
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):2ED020I12FAXUMA2
上升时间:30ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2.4A
电源电压:13V~20V
峰值灌电流:2.4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6EDL04I06NTXUMA1
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:13V~17.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXDN609PI
上升时间:22ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:9A
电源电压:4.5V~35V
峰值灌电流:9A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MAQ4124YME-VAO
上升时间:11ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:11ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:带
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP1401T-E/OT
上升时间:19ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:500mA
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27712QDRQ1
上升时间:16ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2.8A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:1.8A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"22+":5000,"23+":16750}
销售单位:个
规格型号(MPN):2EDL05N06PFXUMA1
上升时间:48ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:24ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:10V~20V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存: