销售单位：个

规格型号(MPN)：2ED020I12FAXUMA2

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2.4A

电源电压：13V~20V

峰值灌电流：2.4A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422AVOA713

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1416T-E/OT

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：1EBN1001AEXUMA1

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：90ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

电源电压：13V~18V

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2ED020I12FAXUMA2

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2.4A

电源电压：13V~20V

峰值灌电流：2.4A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2EDL05N06PJXUMA1

上升时间：48ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：24ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

电源电压：10V~25V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27712QDRQ1

上升时间：16ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2.8A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.8A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：6EDL04N06PTXUMA1

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：26ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

电源电压：10V~17.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21530DWKR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~130℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：3V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：5，"19+"：55，"23+"：12241}

销售单位：个

规格型号(MPN)：AUIRS2336STR

上升时间：125ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2EDL05N06PJXUMA1

上升时间：48ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：24ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

电源电压：10V~25V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27710DR

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2ED020I12FAXUMA2

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2.4A

电源电压：13V~20V

峰值灌电流：2.4A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：6EDL04I06NTXUMA1

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：26ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

电源电压：13V~17.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1401T-E/OT

上升时间：19ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27712QDRQ1

上升时间：16ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2.8A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.8A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：5000，"23+"：16750}

销售单位：个

规格型号(MPN)：2EDL05N06PFXUMA1

上升时间：48ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：24ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

电源电压：10V~20V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：6EDL04I06PTXUMA1

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：26ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

电源电压：13V~17.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：6ED003L02F2XUMA1

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：26ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

电源电压：13V~17.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1415T-E/OT

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1402T-E/OT

上升时间：19ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：6EDL04I06NTXUMA1

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：26ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

电源电压：13V~17.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD609D2TR

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：6EDL04N06PTXUMA1

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：26ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

电源电压：10V~17.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：6ED003L06F2XUMA1

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：26ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

电源电压：13V~17.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1402T-E/OT

上升时间：19ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：6EDL04N06PTXUMA1

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：26ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

电源电压：10V~17.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4452VOA713

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：32ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：13A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：13A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：6ED003L06F2XUMA1

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：26ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

电源电压：13V~17.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：1ED44171N01BXTSA1

上升时间：5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：5ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2.6A

电源电压：12.7V~20V

峰值灌电流：2.6A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1