采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDRQ1
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"18+"：5，"19+"：55，"23+"：12241}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRS2336STR
上升时间：125ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712D
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDRQ1
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"22+"：5000，"23+"：16750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDL05N06PFXUMA1
上升时间：48ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：24ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
电源电压：10V~20V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712D
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712DR
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDL05N06PFXUMA1
上升时间：48ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：24ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
电源电压：10V~20V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDL05N06PFXUMA1
上升时间：48ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：24ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
电源电压：10V~20V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDRQ1
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDL05N06PFXUMA1
上升时间：48ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：24ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
电源电压：10V~20V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDRQ1
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712DR
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712DR
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDL05N06PFXUMA1
上升时间：48ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：24ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
电源电压：10V~20V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"22+"：5000，"23+"：16750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDL05N06PFXUMA1
上升时间：48ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：24ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
电源电压：10V~20V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDRQ1
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"22+"：5000，"23+"：16750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDL05N06PFXUMA1
上升时间：48ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：24ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
电源电压：10V~20V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712DR
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712DR
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712DR
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710D
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712DR
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
