销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422AVOA713

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4421AVOA

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1416T-E/OT

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422CPA

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：60ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4421EPA

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：60ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422AVPA

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4451VAT

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：32ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：13A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：13A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422CAT

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：60ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MAQ4124YME-VAO

上升时间：11ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：带

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1401T-E/OT

上升时间：19ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1415T-E/OT

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1402T-E/OT

上升时间：19ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422CPA

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：60ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4451VOA

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：32ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：13A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：13A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1402T-E/OT

上升时间：19ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422AVAT

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4452VOA713

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：32ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：13A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：13A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4451VOA

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：32ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：13A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：13A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422AVAT

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4421AVOA

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422AVMF

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4452VOA713

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：32ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：13A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：13A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422AVOA713

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4452VAT

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：32ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：13A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：13A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4421AVOA

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4451VMF

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：32ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：13A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：13A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422CAT

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：60ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4421AVAT

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422AVPA

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4452VOA

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：32ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：13A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：13A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1