采购热线 400-661-9010
品牌：SII
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC426EOA713
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SII
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC426EOA713
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC427EOA713
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：POWER INTEGRATIONS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：1SC0450E2B0-45
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：50A
电源电压：14.5V~15.5V
峰值灌电流：50A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：托盘
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC427EOA
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SII
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC426EOA713
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC428EOA
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SII
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC426EOA713
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HV9901NG-G
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：10V~450V
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC427EOA713
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC427EPA
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC427EOA713
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC427EOA713
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC427EOA713
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SII
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC426EOA
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC427EOA
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC428EOA
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HV9901NG-G
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：10V~450V
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：POWER INTEGRATIONS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：12psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：1SC0450V2B0-65
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：50A
电源电压：14.5V~15.5V
峰值灌电流：50A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：托盘
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC427EPA
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：POWER INTEGRATIONS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：12psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：1SC0450V2B0-65
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：50A
电源电压：14.5V~15.5V
峰值灌电流：50A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：托盘
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SII
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC426EOA713
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SII
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC426EOA713
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HV9901NG-G
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：10V~450V
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC427EOA
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC428EOA
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC427EOA713
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC427EOA713
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
驱动配置：低端
ECCN：EAR99
峰值灌电流：1.5A
下降时间：30ns
包装方式：卷带（TR）
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
驱动通道数：2
工作温度：-40℃~85℃
上升时间：30ns
包装清单：商品主体 * 1
库存：
