销售单位:个
规格型号(MPN):LM5110-2MX/NOPB
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:3.5V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"12+":13205,"14+":6954}
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5111-3M/NOPB
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:3.5V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS2819DBVR
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:14ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4417YM4-TR
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:16ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"15+":13500}
销售单位:个
规格型号(MPN):SM74101SDX/NOPB
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:7A
电源电压:3.5V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS2812P
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS2828DBVT
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:14ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS2811DR
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS2811DR
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS2811DR
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS2829DBVR
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:14ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV57001FDWR2G
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:19ns
工作温度:-40℃~+125℃
峰值拉电流:7.8A
峰值灌电流:7.1A
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS2812DR
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS2819DBVT
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:14ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS2819DBVT
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:14ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS2814P
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS2816DBVR
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:14ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS2811DR
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS2819MDBVREP
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:14ns
工作温度:-55℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS2817DBVR
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:14ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS2816DBVR
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:14ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4416YM4-TR
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:16ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5112Q1SD/NOPB
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:7A
电源电压:3.5V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):47psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4468ZWM
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:4
下降时间:13ns
工作温度:0℃~70℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS2828DBVR
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:14ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS2819DBVT
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:14ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS2819MDBVREP
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:14ns
工作温度:-55℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS2814DR
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS2816DBVR
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:14ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存: