销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95372AQ5M

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97394Q4M

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95372BQ5M

上升时间：限流，超温，击穿，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IFX007TAUMA1

上升时间：限流，开路负载检测，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：8V~40V

峰值灌电流：55A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97394Q4M

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97394Q4M

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97395Q4MT

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：60A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：25A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：2500，"23+"：42500}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5369NMNTXG

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：50A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MP86920GLV-Z

上升时间：限流，ESD，超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：3V~3.6V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97394Q4M

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97396Q4MT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：65A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：30A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：1718}

销售单位：个

规格型号(MPN)：TDA21201-B7

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-25°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：9V~15V

峰值灌电流：30A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：2829}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR3553MTRPBF

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：60A

电源电压：4.5V~7V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：2829}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR3553MTRPBF

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：60A

电源电压：4.5V~7V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IFX007TAUMA1

上升时间：限流，开路负载检测，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：8V~40V

峰值灌电流：55A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95372AQ5M

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95372AQ5M

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95372AQ5M

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：3955}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR3551MTRPBF

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：75A

电源电压：4.5V~7V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95372AQ5M

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IFX007TAUMA1

上升时间：限流，开路负载检测，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：8V~40V

峰值灌电流：55A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：1239，"12+"：2380，"17+"：9905}

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97370AQ5M

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：60A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MP86885GQWT-Z

上升时间：限流，超温

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：1918}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5369NMNTXG

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：50A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：1718}

销售单位：个

规格型号(MPN)：TDA21201-B7

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-25°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：9V~15V

峰值灌电流：30A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IFX007TAUMA1

上升时间：限流，开路负载检测，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：8V~40V

峰值灌电流：55A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MP86885GQWT-Z

上升时间：限流，超温

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1