生产批次：{"03+"：1718}

销售单位：个

规格型号(MPN)：TDA21201-B7

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-25°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：9V~15V

峰值灌电流：30A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：1718}

销售单位：个

规格型号(MPN)：TDA21201-B7

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-25°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：9V~15V

峰值灌电流：30A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：1718}

销售单位：个

规格型号(MPN)：TDA21201-B7

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-25°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：9V~15V

峰值灌电流：30A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1