采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97394Q4M
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
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峰值灌电流：20A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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规格型号(MPN)：CSD97394Q4M
上升时间：击穿，UVLO
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下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
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峰值灌电流：20A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
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规格型号(MPN)：CSD97394Q4M
上升时间：击穿，UVLO
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下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
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峰值灌电流：20A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
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包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD97395Q4MT
上升时间：击穿，UVLO
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下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：25A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
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规格型号(MPN)：CSD97394Q4M
上升时间：击穿，UVLO
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下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
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峰值灌电流：20A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
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包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT
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下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
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特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT
上升时间：击穿，UVLO
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下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
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峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
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生产批次：{"11+"：1239，"12+"：2380，"17+"：9905}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97370AQ5M
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下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT
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下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97394Q4M
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97394Q4M
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97395Q4MT
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下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：25A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"11+"：1239，"12+"：2380，"17+"：9905}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97370AQ5M
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97395Q4MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：25A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97395Q4MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：25A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"11+"：1239，"12+"：2380，"17+"：9905}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97370AQ5M
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97395Q4MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：25A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"08+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：TDA21102
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-25°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：4A
电源电压：10.8V~13.2V
特性：自举电路
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97395Q4MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：25A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"11+"：1239，"12+"：2380，"17+"：9905}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97370AQ5M
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"11+"：1239，"12+"：2380，"17+"：9905}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97370AQ5M
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97394Q4M
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"08+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：TDA21102
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-25°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：4A
电源电压：10.8V~13.2V
特性：自举电路
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
