销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97394Q4M
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:45A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:20A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95490Q5MCT
上升时间:击穿
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感,电容性
峰值拉电流:105A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:75A
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95490Q5MCT
上升时间:击穿
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感,电容性
峰值拉电流:105A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:75A
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95481RWJT
上升时间:击穿
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感,电容性
峰值拉电流:90A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:60A
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95490Q5MCT
上升时间:击穿
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感,电容性
峰值拉电流:105A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:75A
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97394Q4M
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:45A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:20A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97394Q4M
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:45A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:20A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97395Q4MT
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:25A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97394Q4M
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:45A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:20A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95481RWJT
上升时间:击穿
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感,电容性
峰值拉电流:90A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:60A
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"03+":1718}
销售单位:个
规格型号(MPN):TDA21201-B7
上升时间:超温,击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-25°C~125°C(TJ)
负载类型:电感
电源电压:9V~15V
峰值灌电流:30A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95481RWJT
上升时间:击穿
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感,电容性
峰值拉电流:90A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:60A
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95496QVMT
上升时间:击穿
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感,电容性
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:40A
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"11+":1239,"12+":2380,"17+":9905}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97370AQ5M
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:40A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"03+":1718}
销售单位:个
规格型号(MPN):TDA21201-B7
上升时间:超温,击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-25°C~125°C(TJ)
负载类型:电感
电源电压:9V~15V
峰值灌电流:30A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"03+":1718}
销售单位:个
规格型号(MPN):TDA21201-B7
上升时间:超温,击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-25°C~125°C(TJ)
负载类型:电感
电源电压:9V~15V
峰值灌电流:30A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97394Q4M
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:45A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:20A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97394Q4M
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:45A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:20A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRSM005-800MHTR
上升时间:UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:150°C(TJ)
负载类型:电感,电容性
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:80A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97395Q4MT
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:25A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"11+":1239,"12+":2380,"17+":9905}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97370AQ5M
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:40A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRSM005-800MHTR
上升时间:UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:150°C(TJ)
负载类型:电感,电容性
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:80A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97395Q4MT
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:25A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MP6536DU-LF-Z
上升时间:限流,超温,短路,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电容性
峰值拉电流:5.5A
电源电压:5V~26V
峰值灌电流:5.5A
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95496QVMT
上升时间:击穿
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感,电容性
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:40A
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97395Q4MT
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:25A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"20+":291,"22+":388}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRSM005-800MHTR
上升时间:UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:150°C(TJ)
负载类型:电感,电容性
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:80A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95496QVMT
上升时间:击穿
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感,电容性
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:40A
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MP6536DU-LF-Z
上升时间:限流,超温,短路,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电容性
峰值拉电流:5.5A
电源电压:5V~26V
峰值灌电流:5.5A
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRSM005-800MHTR
上升时间:UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:150°C(TJ)
负载类型:电感,电容性
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:80A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存: