包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95490Q5MCT
上升时间:击穿
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感,电容性
峰值拉电流:105A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:75A
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95490Q5MCT
上升时间:击穿
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感,电容性
峰值拉电流:105A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:75A
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95481RWJT
上升时间:击穿
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感,电容性
峰值拉电流:90A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:60A
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95490Q5MCT
上升时间:击穿
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感,电容性
峰值拉电流:105A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:75A
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MP86920GLV-Z
上升时间:限流,ESD,超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:45A
电源电压:3V~3.6V
峰值灌电流:20A
特性:自举电路,二极管仿真
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95481RWJT
上升时间:击穿
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感,电容性
峰值拉电流:90A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:60A
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"20+":2829}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR3553MTRPBF
上升时间:超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~7V
峰值灌电流:40A
特性:自举电路,二极管仿真,状态标志
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"20+":2829}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR3553MTRPBF
上升时间:超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~7V
峰值灌电流:40A
特性:自举电路,二极管仿真,状态标志
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95481RWJT
上升时间:击穿
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感,电容性
峰值拉电流:90A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:60A
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95496QVMT
上升时间:击穿
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感,电容性
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:40A
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"20+":3955}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR3551MTRPBF
上升时间:超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:75A
电源电压:4.5V~7V
峰值灌电流:50A
特性:自举电路,二极管仿真,状态标志
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MP86885GQWT-Z
上升时间:限流,超温
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:40A
特性:自举电路,状态标志
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MP86885GQWT-Z
上升时间:限流,超温
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:40A
特性:自举电路,状态标志
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MP86885GQWT-Z
上升时间:限流,超温
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:40A
特性:自举电路,状态标志
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MP86920GLV-P
上升时间:限流,ESD,超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:45A
电源电压:3V~3.6V
峰值灌电流:20A
特性:自举电路,二极管仿真
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MPS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MP86998GMJT-Z
上升时间:限流,ESD,超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:125A
电源电压:3V~3.6V
峰值灌电流:80A
特性:自举电路,二极管仿真
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MPS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MP86998GMJT-Z
上升时间:限流,ESD,超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:125A
电源电压:3V~3.6V
峰值灌电流:80A
特性:自举电路,二极管仿真
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MP86920GLV-P
上升时间:限流,ESD,超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:45A
电源电压:3V~3.6V
峰值灌电流:20A
特性:自举电路,二极管仿真
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"14+":6502}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR3742MTRPBF
上升时间:限流,超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感
电源电压:4.5V~7.5V
峰值灌电流:20A
特性:自举电路,状态标志
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MP86885GQWT-Z
上升时间:限流,超温
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:40A
特性:自举电路,状态标志
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"20+":3955}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR3551MTRPBF
上升时间:超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:75A
电源电压:4.5V~7V
峰值灌电流:50A
特性:自举电路,二极管仿真,状态标志
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MP86885GQWT-Z
上升时间:限流,超温
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:40A
特性:自举电路,状态标志
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MPS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MP86998GMJT-Z
上升时间:限流,ESD,超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:125A
电源电压:3V~3.6V
峰值灌电流:80A
特性:自举电路,二极管仿真
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MP6536DU-LF-Z
上升时间:限流,超温,短路,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电容性
峰值拉电流:5.5A
电源电压:5V~26V
峰值灌电流:5.5A
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95496QVMT
上升时间:击穿
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感,电容性
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:40A
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"21+":124}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR3550MTRPBF
上升时间:超温,击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:90A
电源电压:4.5V~7V
峰值灌电流:60A
特性:自举电路,二极管仿真,状态标志
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95496QVMT
上升时间:击穿
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感,电容性
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:40A
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"20+":3955}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR3551MTRPBF
上升时间:超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:75A
电源电压:4.5V~7V
峰值灌电流:50A
特性:自举电路,二极管仿真,状态标志
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"21+":124}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR3550MTRPBF
上升时间:超温,击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:90A
电源电压:4.5V~7V
峰值灌电流:60A
特性:自举电路,二极管仿真,状态标志
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存: