销售单位：个

规格型号(MPN)：IFX007TAUMA1

上升时间：限流，开路负载检测，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：8V~40V

峰值灌电流：55A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：1718}

销售单位：个

规格型号(MPN)：TDA21201-B7

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-25°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：9V~15V

峰值灌电流：30A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：2829}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR3553MTRPBF

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：60A

电源电压：4.5V~7V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：2829}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR3553MTRPBF

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：60A

电源电压：4.5V~7V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IFX007TAUMA1

上升时间：限流，开路负载检测，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：8V~40V

峰值灌电流：55A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：3955}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR3551MTRPBF

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：75A

电源电压：4.5V~7V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IFX007TAUMA1

上升时间：限流，开路负载检测，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：8V~40V

峰值灌电流：55A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：1718}

销售单位：个

规格型号(MPN)：TDA21201-B7

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-25°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：9V~15V

峰值灌电流：30A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IFX007TAUMA1

上升时间：限流，开路负载检测，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：8V~40V

峰值灌电流：55A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：1718}

销售单位：个

规格型号(MPN)：TDA21201-B7

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-25°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：9V~15V

峰值灌电流：30A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM005-800MHTR

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：80A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：6502}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR3742MTRPBF

上升时间：限流，超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~7.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：3955}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR3551MTRPBF

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：75A

电源电压：4.5V~7V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM005-800MHTR

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：80A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：124}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR3550MTRPBF

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~7V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：291，"22+"：388}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM005-800MHTR

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：80A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：3955}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR3551MTRPBF

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：75A

电源电压：4.5V~7V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：124}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR3550MTRPBF

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~7V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM005-800MHTR

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：80A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM005-800MHTR

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：80A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IFX007TAUMA1

上升时间：限流，开路负载检测，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：8V~40V

峰值灌电流：55A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"08+"：2400}

销售单位：个

规格型号(MPN)：TDA21102

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-25°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：4A

电源电压：10.8V~13.2V

特性：自举电路

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IFX007TAUMA1

上升时间：限流，开路负载检测，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：8V~40V

峰值灌电流：55A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：124}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR3550MTRPBF

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~7V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IFX007TAUMA1

上升时间：限流，开路负载检测，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：8V~40V

峰值灌电流：55A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM005-800MHTR

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：80A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：2829}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR3553MTRPBF

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：60A

电源电压：4.5V~7V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：291，"22+"：388}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM005-800MHTR

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：80A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"08+"：2400}

销售单位：个

规格型号(MPN)：TDA21102

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-25°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：4A

电源电压：10.8V~13.2V

特性：自举电路

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IFX007TAUMA1

上升时间：限流，开路负载检测，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：8V~40V

峰值灌电流：55A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1