采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：IVCR1407SR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IVCR1407SR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IVCR1407SR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IVCR1407SR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IVCR1407SR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IVCR1407SR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IVCR1407SR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IVCR1407SR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IVCR1407SR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IVCR1407SR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IVCR1407SR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IVCR1407SR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IVCR1407SR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：瞻芯
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IVCR1407SR
峰值灌电流：4A
上升时间：6ns
驱动配置：低端
电源电压：4.5V~20V
ECCN：EAR99
下降时间：6ns
峰值拉电流：4A
包装方式：卷带（TR）
驱动通道数：2
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：瞻芯
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IVCR1407SR
峰值灌电流：4A
上升时间：6ns
驱动配置：低端
电源电压：4.5V~20V
ECCN：EAR99
下降时间：6ns
峰值拉电流：4A
包装方式：卷带（TR）
驱动通道数：2
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：瞻芯
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IVCR1407SR
峰值灌电流：4A
上升时间：6ns
驱动配置：低端
电源电压：4.5V~20V
ECCN：EAR99
下降时间：6ns
峰值拉电流：4A
包装方式：卷带（TR）
驱动通道数：2
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：瞻芯
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IVCR1407SR
峰值灌电流：4A
上升时间：6ns
驱动配置：低端
电源电压：4.5V~20V
ECCN：EAR99
下降时间：6ns
峰值拉电流：4A
包装方式：卷带（TR）
驱动通道数：2
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27524AQDRQ1
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27524DSDT
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDN7533RXTMA1
上升时间：8.6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~+150℃
负载类型：MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低边
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27524DR
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27525DSDR
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27525DR
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320UEFJ-LAE2
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222D
上升时间：5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD1213K6-G
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-20℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~13V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27523DR
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27524DR
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27524P
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27524AQDRQ1
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
