销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7388MX

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2005STRPBF

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC426EOA713

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN73893MX

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC427COA713

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7389MX1

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7888MX

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2005MTRPBF

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"07+"：7500}

销售单位：个

规格型号(MPN)：ADP3110KRZ-RL

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：0℃~85℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.6V~13.2V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7382MX

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7389MX1

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN73895MX

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC426EOA713

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7382MX

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7842MX

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7382MX

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：26575，"MI+"：1000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7388MX

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7382M1X

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：10000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FL73282MX

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2008STRPBF

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC427COA713

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN73894MX

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：12V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：3000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7382M1X

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2890DSTRPBF

上升时间：85ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：480mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：220mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7383MX

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：15V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC427EOA713

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FL73282MX

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2005STRPBF

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN73892MX

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7385MX

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：高端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1