销售单位：个

规格型号(MPN)：RT9610CGQW

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT9610BZQW

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT9610BZQW

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT9610CGQW

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT9610CGQW

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT9610BZQW

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT9610CGQW

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT9610BZQW

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT9610BZQW

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT9610CGQW

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT9610BZQW

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT9610CGQW

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT9610BZQW

上升时间：8ns

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：高压侧或低压侧

下降时间：8ns

负载类型：N沟道MOSFET

峰值灌电流：2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

驱动通道数：2

工作温度：-40℃~85℃

峰值拉电流：2A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT9610BZQW

上升时间：8ns

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：高压侧或低压侧

下降时间：8ns

负载类型：N沟道MOSFET

峰值灌电流：2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

驱动通道数：2

工作温度：-40℃~85℃

峰值拉电流：2A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCV51705MNTWG

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：SiCMOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：10V~22V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP51705MNTXG

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：SiCMOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：10V~22V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81071BMNTXG

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6208BIRZ-T

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81071BDR2G

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6208CRZ-T

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-10℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81071CDR2G

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81071CMNTXG

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：35600，"9999"：1000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6609ACRZ

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：0℃~+125℃

负载类型：MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：2459}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6610CBZ

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：8ns

工作温度：0℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81071BZR2G

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"04+"：469，"08+"：1389}

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6208CB

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-10℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：2459}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6610CBZ

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：8ns

工作温度：0℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：332，"20+"：1350}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81071CDR2G

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：1897}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81071AMNTXG

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81071BZR2G

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1