生产批次：{"20+"：3325}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS4426SPBF

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.3A

电源电压：6V~20V

峰值灌电流：2.3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1427COA713

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7191MX-F085

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4.5A

电源电压：10V~22V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4424COE713

上升时间：23ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4426ACOA

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS4426STRPBF

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.3A

电源电压：6V~20V

峰值灌电流：2.3A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1427COA

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1426CPA

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UC3708N

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：5V~35V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4427ACOA713

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：56psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4424MJA

上升时间：23ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4423COE713

上升时间：23ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4428AEUA713

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4428ACOA713

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAD7191M1X

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4.5A

电源电压：10V~22V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAD7191M1X

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4.5A

电源电压：10V~22V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4428AEUA713

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4426ACOA713

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4426AEOA713

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4424EPA

上升时间：23ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SP0320T2C0-12

上升时间：7ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：IGBT

峰值拉电流：20A

电源电压：14.5V~15.5V

峰值灌电流：20A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4427AEUA713

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS4428STRPBF

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.3A

电源电压：6V~20V

峰值灌电流：2.3A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS4426STRPBF

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.3A

电源电压：6V~20V

峰值灌电流：2.3A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"06+"：2969，"MI+"：678}

销售单位：个

规格型号(MPN)：ADP3415LRM-REEL

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~100℃

负载类型：N沟道MOSFET

驱动配置：半桥

包装方式：散装

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4423COE713

上升时间：23ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4425CPA

上升时间：23ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SP0320T2A0-17

上升时间：7ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：IGBT

峰值拉电流：20A

电源电压：14.5V~15.5V

峰值灌电流：20A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS4427STRPBF

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.3A

电源电压：6V~20V

峰值灌电流：2.3A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4427AVOA713

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1