采购热线 400-661-9010
生产批次：{"20+"：3325}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS4426SPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.3A
电源电压：6V~20V
峰值灌电流：2.3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS44273LTRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：10.2V~20V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS4426STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.3A
电源电压：6V~20V
峰值灌电流：2.3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4420VOA713
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC1410EOA
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.5V~16V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4424EPA
上升时间：23ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4420EOA
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS4428STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.3A
电源电压：6V~20V
峰值灌电流：2.3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4429EPA
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4429EPA
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS4426STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.3A
电源电压：6V~20V
峰值灌电流：2.3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7085MX-GF085
上升时间：65ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：450mA
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：450mA
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4420VOA
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4429EOA
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC1411EOA
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：4.5V~16V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS4427STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.3A
电源电压：6V~20V
峰值灌电流：2.3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4420EPA
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4420EOA713
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS4428STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.3A
电源电压：6V~20V
峰值灌电流：2.3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC1411NEUA713
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：4.5V~16V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"22+"：57000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7085M-GF085
上升时间：65ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：450mA
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：450mA
驱动配置：高端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC1411NEOA713
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：4.5V~16V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7085MX-GF085
上升时间：65ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：450mA
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：450mA
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS4426STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.3A
电源电压：6V~20V
峰值灌电流：2.3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7085MX-GF085
上升时间：65ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：450mA
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：450mA
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"21+"：3895}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7085M-GF085
上升时间：65ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：450mA
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：450mA
驱动配置：高端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS4427STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.3A
电源电压：6V~20V
峰值灌电流：2.3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7085MX-GF085
上升时间：65ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：450mA
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：450mA
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7085MX-GF085
上升时间：65ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：450mA
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：450mA
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"22+"：3072，"23+"：1129}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRS2117STR
上升时间：75ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
