采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0579UFN-7
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP1401T-E/OT
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP1402T-E/OT
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP1402T-E/OT
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0579UFN-7
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0579UFN-7
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
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负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0579UFN-7
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0579UFN-7
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP1402T-E/OT
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP1401T-E/OT
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
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品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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规格型号(MPN)：DGD0579UFN-7
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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规格型号(MPN)：DGD0579UFN-7
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ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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品牌：Microchip
分类：门极驱动器
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规格型号(MPN)：MCP1401T-E/OT
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ECCN：EAR99
驱动通道数：1
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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规格型号(MPN)：DGD0579UFN-7
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ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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规格型号(MPN)：DGD0579UFN-7
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ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
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包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
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规格型号(MPN)：DGD0579UFN-7
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ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
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包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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规格型号(MPN)：DGD0579UFN-7
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ECCN：EAR99
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
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包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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规格型号(MPN)：MCP1401T-E/OT
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0579UFN-7
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0579UFN-7
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0579UFN-7
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP1402T-E/OT
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP1401T-E/OT
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0579UFN-7
电源电压：6.5V~18V
上升时间：19ns
下降时间：15ns
负载类型：N沟道MOSFET
ECCN：EAR99
峰值灌电流：1.5A
包装方式：卷带（TR）
峰值拉电流：2.5A
驱动配置：半桥
驱动通道数：2
工作温度：-40℃~125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP1402T-E/OT
峰值灌电流：500mA
上升时间：19ns
下降时间：15ns
电源电压：4.5V~18V
驱动配置：低端
峰值拉电流：500mA
工作温度：-40℃~150℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
驱动通道数：1
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0579UFN-7
电源电压：6.5V~18V
上升时间：19ns
下降时间：15ns
负载类型：N沟道MOSFET
ECCN：EAR99
峰值灌电流：1.5A
包装方式：卷带（TR）
峰值拉电流：2.5A
驱动配置：半桥
驱动通道数：2
工作温度：-40℃~125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
