销售单位：个

规格型号(MPN)：2ED020I12FAXUMA2

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2.4A

电源电压：13V~20V

峰值灌电流：2.4A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2301STRPBF

上升时间：130ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：5V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2101SPBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR25606STRPBF

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"04+"：500，"10+"：2613，"22+"：2335}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21094STRPBF

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2109SPBF

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2153DSTRPBF

上升时间：120ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：260mA

电源电压：10V~15.4V

峰值灌电流：180mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2ED020I12FAXUMA2

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2.4A

电源电压：13V~20V

峰值灌电流：2.4A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：5477，"23+"：3800}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2153DSPBF

上升时间：120ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：260mA

电源电压：10V~15.4V

峰值灌电流：180mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2ED020I12F2XUMA1

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT

峰值拉电流：2A

电源电压：13V~20V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：484，"20+"：6}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2108PBF

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2301STRPBF

上升时间：130ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：5V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AUIRS2301STR

上升时间：130ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：5V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：2915}

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2301SPBF

上升时间：130ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：5V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21084STRPBF

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2109PBF

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：1100，"9999"：20}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21064PBF

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2153DSTRPBF

上升时间：120ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：260mA

电源电压：10V~15.4V

峰值灌电流：180mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21531DSTRPBF

上升时间：120ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：260mA

电源电压：10V~15.4V

峰值灌电流：180mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AUIRS2301STR

上升时间：130ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：5V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21094STRPBF

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2106STRPBF

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2153DSTRPBF

上升时间：120ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：260mA

电源电压：10V~15.4V

峰值灌电流：180mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：2915}

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2301SPBF

上升时间：130ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：5V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：2500}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2153DSTRPBF

上升时间：120ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：260mA

电源电压：10V~15.4V

峰值灌电流：180mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2ED020I12FAXUMA2

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2.4A

电源电压：13V~20V

峰值灌电流：2.4A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1