生产批次：{"16+"：1367，"18+"：6875}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21365SPBF

上升时间：125ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：12V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：1367，"18+"：6875}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21365SPBF

上升时间：125ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：12V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：1367，"18+"：6875}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21365SPBF

上升时间：125ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：12V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：1367，"18+"：6875}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21365SPBF

上升时间：125ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：12V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：1367，"18+"：6875}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21365SPBF

上升时间：125ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：12V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：1367，"18+"：6875}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21365SPBF

上升时间：125ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：12V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1