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销售单位:个
规格型号(MPN):MC34151PG
上升时间:31ns
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驱动通道数:2
下降时间:32ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:6.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"20+":3325}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS4426SPBF
上升时间:25ns
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驱动通道数:2
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工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXDD609YI
上升时间:22ns
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驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:9A
电源电压:4.5V~35V
峰值灌电流:9A
驱动配置:低端
包装方式:管件
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库存:
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4421AVOA
上升时间:38ns
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驱动通道数:1
下降时间:33ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:10A
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峰值灌电流:10A
驱动配置:低端
包装方式:管件
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库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
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销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27424DGN
上升时间:20ns
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驱动通道数:2
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工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:管件
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库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4452YN
上升时间:20ns
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工作温度:-40℃~85℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:12A
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驱动配置:低端
包装方式:管件
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库存:
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销售单位:个
规格型号(MPN):MC34152DG
上升时间:36ns
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下降时间:32ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:6.1V~18V
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驱动配置:低端
包装方式:管件
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库存:
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销售单位:个
规格型号(MPN):TC4422CPA
上升时间:60ns
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工作温度:0℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:9A
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峰值灌电流:9A
驱动配置:低端
包装方式:管件
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销售单位:个
规格型号(MPN):MC33151PG
上升时间:31ns
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工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
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驱动配置:低端
包装方式:管件
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包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4426ACOA
上升时间:25ns
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工作温度:0℃~70℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
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库存:
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4427YMM
上升时间:20ns
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工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
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驱动配置:低端
包装方式:管件
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库存:
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC1427COA
上升时间:35ns
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工作温度:0℃~70℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
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包装方式:管件
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库存:
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销售单位:个
规格型号(MPN):TC4469EPD
上升时间:15ns
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工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
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包装方式:管件
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销售单位:个
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上升时间:19ns
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工作温度:0℃~70℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
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驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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销售单位:个
规格型号(MPN):TC4426EUA
上升时间:19ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
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工作温度:-40℃~85℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
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销售单位:个
规格型号(MPN):IR4426SPBF
上升时间:15ns
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驱动通道数:2
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工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
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销售单位:个
规格型号(MPN):TC1426CPA
上升时间:35ns
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负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
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驱动配置:低端
包装方式:管件
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销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4120YME
上升时间:12ns
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工作温度:-40℃~125℃
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包装方式:管件
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销售单位:个
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驱动通道数:2
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销售单位:个
规格型号(MPN):UC3708N
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
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工作温度:0℃~70℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
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包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
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包装规格(MPQ):56psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4424MJA
上升时间:23ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
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驱动配置:低端
包装方式:管件
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规格型号(MPN):UC3706DW
上升时间:40ns
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驱动通道数:2
下降时间:30ns
工作温度:0℃~70℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:5V~40V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
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销售单位:个
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驱动通道数:1
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工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:9A
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上升时间:38ns
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负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:10A
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峰值灌电流:10A
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包装清单:商品主体 * 1
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负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
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上升时间:30ns
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驱动通道数:1
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包装清单:商品主体 * 1
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上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~105℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:9A
电源电压:4V~15V
峰值灌电流:9A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):47psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4469YWM
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:4
下降时间:13ns
工作温度:-40℃~85℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存: