包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4469EPD

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4469YWM

上升时间：14ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：13ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：2459}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6610CBZ

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：8ns

工作温度：0℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：2459}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6610CBZ

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：8ns

工作温度：0℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4468EOE

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：2459}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6610CBZ

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：8ns

工作温度：0℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4468COE

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4468ZWM

上升时间：14ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：13ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：EL7457CSZ

上升时间：13.5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：13ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：720psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：HIP4081AIPZ

上升时间：10ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~+85℃

负载类型：MOSFET

峰值拉电流：2.6A

电源电压：9.5V~15V

峰值灌电流：2.4A

驱动配置：半桥；全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：760psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：HIP4080AIBZ

上升时间：10ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~+125℃

负载类型：MOSFET

峰值拉电流：2.6A

电源电压：9.5V~15V

峰值灌电流：2.4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：40psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN75374D

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：20ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.75V~28V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：40psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN75374D

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：20ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.75V~28V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：760psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：HIP4080AIBZ

上升时间：10ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~+125℃

负载类型：MOSFET

峰值拉电流：2.6A

电源电压：9.5V~15V

峰值灌电流：2.4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：16-SOIC

上升时间：14ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：13ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4468COE

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN75374N

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：20ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.75V~28V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4468ZWM

上升时间：14ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：13ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：97psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：EL7457CUZ

上升时间：13.5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：13ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4468EOE

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"00+"：60，"05+"：706，"07+"：4240，"10+"：710，"11+"：1440，"16+"：4140，"97+"：14561}

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPIC44L02DB

上升时间：3.5µs

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：3µs

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2mA

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：1.2mA

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：16-SOIC

上升时间：14ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：13ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：HIP4082IPZ

上升时间：9ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：9ns

工作温度：-55℃~+150℃

负载类型：MOSFET

峰值拉电流：1.4A

电源电压：8.5V~15V

峰值灌电流：1.3A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：960psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL83202IBZ

上升时间：9ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：9ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：8.5V~15V

峰值灌电流：1A

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN75374N

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：20ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.75V~28V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4469COE

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：40psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN75374D

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：20ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.75V~28V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：97psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：EL7457CUZ

上升时间：13.5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：13ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4469CPD

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：15ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：2459}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6610CBZ

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：8ns

工作温度：0℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1