包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4469EPD
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IR4426SPBF
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):47psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4468EOE
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27714D
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):47psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4468COE
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"15+":16615}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27531D
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:10V~32V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR4427SPBF
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR4427SPBF
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IR4427SPBF
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"17+":1757}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR25600PBF
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"22+":2811,"23+":15200}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR4427SPBF
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27531D
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:10V~32V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"17+":4580,"18+":6156,"20+":7466,"21+":9631,"MI+":101}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR4426PBF
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR4427PBF
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"15+":16615}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27531D
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:10V~32V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):47psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4468COE
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"22+":2811,"23+":15200}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR4427SPBF
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):47psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4468EOE
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"15+":16615}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27531D
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:10V~32V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"22+":8757,"23+":8786}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR4426SPBF
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"22+":8757,"23+":8786}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR4426SPBF
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"22+":8757,"23+":8786}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR4426SPBF
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"17+":4580,"18+":6156,"20+":7466,"21+":9631,"MI+":101}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR4426PBF
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"22+":2811,"23+":15200}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR4427SPBF
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4469COE
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4225YMME
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4469CPD
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27714D
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27531D
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:10V~32V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR4427SPBF
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存: