采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2114SSPBF
上升时间：24ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：3A
电源电压：11.5V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530QDWKQ1
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IX4340NE
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：55psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2214SSPBF
上升时间：24ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：3A
电源电压：11.5V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27201D
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"15+"：16615}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27531D
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"18+"：42，"20+"：1668，"21+"：385，"22+"：194}
包装规格(MPQ)：55psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2214SSPBF
上升时间：24ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：3A
电源电压：11.5V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27201D
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27531D
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27201D
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"15+"：16615}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27531D
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IX4340NE
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IX4340NE
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27201DDA
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27201DDA
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27201D
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"15+"：16615}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27531D
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2114SSPBF
上升时间：24ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：3A
电源电压：11.5V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27201DDA
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"18+"：42，"20+"：1668，"21+"：385，"22+"：194}
包装规格(MPQ)：55psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2214SSPBF
上升时间：24ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：3A
电源电压：11.5V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2114SSPBF
上升时间：24ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：3A
电源电压：11.5V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：55psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2214SSPBF
上升时间：24ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：3A
电源电压：11.5V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27531D
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530QDWKQ1
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
