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销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD609YI

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422CPA

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：60ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4421EPA

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：60ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27322DGN

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

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负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

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峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

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包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27322P

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

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峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422CAT

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

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负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

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驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4421ZT

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：0℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

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包装方式：管件

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包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN609PI

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

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负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

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包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4421AYM

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负载类型：N沟道MOSFET

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包装方式：管件

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包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4421YM

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC37322D

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

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包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422CPA

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

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包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4421ZN

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：0℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN609PI

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4421ZN

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：24ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4422AYM

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

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包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27322MDEP

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-55℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

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包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4422YM

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：24ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27322P

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~105℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4V~15V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4422YM

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：24ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI609CI

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4422AZM

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：24ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD609YI

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4421YM

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：24ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4422AYM

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：24ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27322MDEP

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：20ns

工作温度：-55℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4V~15V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4422ZM

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：24ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422CAT

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：60ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4421AYM

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：24ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：80psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27322DGN

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~105℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4V~15V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1