包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21271SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：9V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：289，"21+"：7298}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2233PBF

上升时间：90ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：40ns

工作温度：125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：4，"23+"：765}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2132SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2127SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：12V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2235JPBF

上升时间：90ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：40ns

工作温度：125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：44，"18+"：180，"20+"：540}

包装规格(MPQ)：27psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2233JPBF

上升时间：90ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：40ns

工作温度：125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1410EOA

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2118PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：HIP4086ABZ

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~+150℃

负载类型：MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：7V~15V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN75372P

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.75V~5.25V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2130SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：141，"21+"：1800，"22+"：7544，"24+"：2000}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2111PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：14900}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5104PG

上升时间：85ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：1721}

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2130SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：2800，"22+"：2828}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21271PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：9V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2118PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：315，"22+"：3119，"9999"：27}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2112SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：67，"22+"：26743}

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21271SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：9V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：40psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN75374D

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：20ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.75V~28V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：315，"22+"：3119，"9999"：27}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2112SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2112SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：337，"20+"：215，"9999"：41，"MI+"：1134}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2130JPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2130SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：14，"17+"：4，"21+"：821，"22+"：2141}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2132JPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：506}

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2233SPBF

上升时间：90ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：40ns

工作温度：125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：14900}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5104PG

上升时间：85ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：1048}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2128PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：12V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1