采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC1427COA
上升时间：35ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~16V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4469EPD
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC1426CPA
上升时间：35ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~16V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：47psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4469YWM
上升时间：14ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：13ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：47psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4468EOE
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：47psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4468COE
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：15ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：47psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4468ZWM
上升时间：14ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：13ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SII
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC1427CPA
上升时间：35ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~16V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"13+"：3240}
销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8068V-MPB-H
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
下降时间：Bi-CMOS
工作温度：-40°C~90°C（TA）
负载类型：电感
电源电压：6V~16V
峰值灌电流：1.2A
特性：5V 稳压输出，状态标志
驱动配置：半桥（2）
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：47psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：16-SOIC
上升时间：14ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：13ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SII
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC1427CPA
上升时间：35ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~16V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：47psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4468COE
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：15ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：47psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4468ZWM
上升时间：14ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：13ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"19+"：5280}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRSM515-015DA2
上升时间：UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：UMOS
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：9A
电源电压：13.5V~16.5V
峰值灌电流：1.2A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：47psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4468EOE
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"18+"：238，"20+"：585}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRSM515-015PA
上升时间：UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：UMOS
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：9A
电源电压：13.5V~16.5V
峰值灌电流：1.2A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：47psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：16-SOIC
上升时间：14ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：13ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"16+"：255，"9999"：119}
包装规格(MPQ)：15psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRSM505-015DA
上升时间：UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：UMOS
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：9A
电源电压：13.5V~16.5V
峰值灌电流：1.2A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4469COE
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：15ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4469CPD
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：15ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"19+"：5280}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRSM515-015DA2
上升时间：UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：UMOS
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：9A
电源电压：13.5V~16.5V
峰值灌电流：1.2A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4468YN
上升时间：14ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：13ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC1427COA
上升时间：35ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~16V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4468EPD
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC1426CPA
上升时间：35ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~16V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"16+"：255，"9999"：119}
包装规格(MPQ)：15psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRSM505-015DA
上升时间：UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：UMOS
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：9A
电源电压：13.5V~16.5V
峰值灌电流：1.2A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：47psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4468COE
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：15ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"13+"：3240}
销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8068V-MPB-H
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
下降时间：Bi-CMOS
工作温度：-40°C~90°C（TA）
负载类型：电感
电源电压：6V~16V
峰值灌电流：1.2A
特性：5V 稳压输出，状态标志
驱动配置：半桥（2）
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4468YN
上升时间：14ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：13ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4468EPD
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
