包装规格(MPQ)：80psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27424DGN

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：40psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21530QDWKQ1

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~130℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：3V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：40psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21530DWK

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~130℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：3V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：40psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21222D

上升时间：5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：3V~5.5V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27423D

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21867SPBF

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27714D

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：9599}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2186SPBF

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：40psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21222D

上升时间：5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：3V~5.5V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27210D

上升时间：7.2ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：5.5ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：425，"17+"：1139，"18+"：3000，"22+"：21000，"9999"：284}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21864PBF

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：40psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21222D

上升时间：5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：3V~5.5V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：40psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21222D

上升时间：5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：3V~5.5V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27324P

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

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驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：40psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21530DWK

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~130℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：3V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：40psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21530DWK

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~130℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：3V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27325D

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

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驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：425，"17+"：1139，"18+"：3000，"22+"：21000，"9999"：284}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21864PBF

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27325DGN

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

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驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：425，"17+"：1139，"18+"：3000，"22+"：21000，"9999"：284}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21864PBF

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27423P

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

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峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：40psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21530DWK

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~130℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：3V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27211D

上升时间：7.2ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：5.5ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21864SPBF

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：425，"17+"：1139，"18+"：3000，"22+"：21000，"9999"：284}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21864PBF

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：40psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21530DWK

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~130℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：3V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：40psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21222D

上升时间：5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：3V~5.5V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21864PBF

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21222QDQ1

上升时间：5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

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峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27323P

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

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峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1