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上升时间：125ns

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

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驱动配置：半桥

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销售单位：个

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上升时间：80ns

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驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

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规格型号(MPN)：IR21363JPBF

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21365SPBF

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规格型号(MPN)：IR2127SPBF

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生产批次：{"9999"：810，"MI+"：1560}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2213SPBF

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生产批次：{"22+"：1900，"23+"：269，"24+"：1731}

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规格型号(MPN)：IR2127PBF

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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包装方式：管件

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包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2128SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：12V~20V

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ECCN：EAR99

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峰值拉电流：2.5A

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驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"9999"：810，"MI+"：1560}

包装规格(MPQ)：45psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2213SPBF

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

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驱动配置：半桥

包装方式：管件

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生产批次：{"14+"：3，"17+"：5000}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2127PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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驱动配置：高端

包装方式：管件

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生产批次：{"9999"：810，"MI+"：1560}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2213SPBF

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ECCN：EAR99

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峰值拉电流：2.5A

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销售单位：个

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ECCN：EAR99

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2127PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2128SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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销售单位：个

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上升时间：25ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

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包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2127SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2127PBF

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ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：12V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：1900，"23+"：269，"24+"：1731}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2127PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2127SPBF

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ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：12V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2127PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：12V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

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