包装规格(MPQ)：120psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2CG010BBC13N

上升时间：500ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：500ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：IGBT，SiCMOSFET

峰值拉电流：43A

电源电压：13V~28V

峰值灌电流：43A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：120psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2CG010BBC12N

上升时间：500ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：500ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：IGBT，SiCMOSFET

峰值拉电流：43A

电源电压：13V~28V

峰值灌电流：43A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD315AI UL

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：18A

电源电压：15V

峰值灌电流：18A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：12psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SP0115T2B0-12

上升时间：5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-20℃~85℃

负载类型：IGBT

峰值拉电流：15A

电源电压：14.5V~15.5V

峰值灌电流：8A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：490psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL2111ARTZ

上升时间：9ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7.5ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：8V~14V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SP0320T2C0-12

上升时间：7ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：IGBT

峰值拉电流：20A

电源电压：14.5V~15.5V

峰值灌电流：20A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：120psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2CG010BBC14N

上升时间：500ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：500ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：IGBT，SiCMOSFET

峰值拉电流：43A

电源电压：13V~28V

峰值灌电流：43A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：162，"21+"：2600}

包装规格(MPQ)：260psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM807-105MH

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：10A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2CG010DBC11N

上升时间：500ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：500ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：IGBT

峰值拉电流：43A

电源电压：13V~28V

峰值灌电流：43A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：12psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SP0115T2A0-12

上升时间：5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-20℃~85℃

负载类型：IGBT

峰值拉电流：15A

电源电压：14.5V~15.5V

峰值灌电流：8A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：12psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD300C17A2

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：IGBT

峰值拉电流：30A

电源电压：14V~16V

峰值灌电流：30A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SP0320T2A0-17

上升时间：7ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：IGBT

峰值拉电流：20A

电源电压：14.5V~15.5V

峰值灌电流：20A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：20psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2QG010DDC11N

上升时间：500ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：500ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：IGBT

峰值拉电流：43A

电源电压：13V~28V

峰值灌电流：43A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：260psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM807-045MH

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：35A

电源电压：12V~16.5V

峰值灌电流：4A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：490psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL2101AAR3Z

上升时间：10ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：9V~14V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SP0320V2A0-12

上升时间：7ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：IGBT

峰值拉电流：20A

电源电压：14.5V~15.5V

峰值灌电流：20A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：35psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD106AI-17 UC

上升时间：100ns，80ns

ECCN：EAR99

工作温度：-40°C~85°C（TA）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：15V

峰值灌电流：6A，6A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：42psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MGD3160AM335EK

上升时间：超温，短路

ECCN：EAR99

下降时间：IGBT

工作温度：-40°C~125°C（TA）

电源电压：4.5V~40V

峰值灌电流：15A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：490psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL2111ARTZ

上升时间：9ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7.5ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：8V~14V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2CG010BBC11N

上升时间：500ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：500ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：IGBT，SiCMOSFET

峰值拉电流：43A

电源电压：13V~28V

峰值灌电流：43A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：260psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM807-105MH

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：10A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：490psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL2111ARTZ

上升时间：9ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7.5ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：8V~14V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：490psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL2111ARTZ

上升时间：9ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7.5ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：8V~14V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：260psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM807-045MH

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：35A

电源电压：12V~16.5V

峰值灌电流：4A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：490psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL2111ARTZ

上升时间：9ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7.5ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：8V~14V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：35psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD106AI-17 UC

上升时间：100ns，80ns

ECCN：EAR99

工作温度：-40°C~85°C（TA）

负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电源电压：15V

峰值灌电流：6A，6A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：490psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL2101AAR3Z

上升时间：10ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：9V~14V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：490psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL2101AAR3Z

上升时间：10ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：9V~14V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：12psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SP0115T2B0-17

上升时间：5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-20℃~85℃

负载类型：IGBT

峰值拉电流：15A

电源电压：14.5V~15.5V

峰值灌电流：8A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：490psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL2111ARTZ

上升时间：9ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7.5ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：8V~14V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1