采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8300NPWR
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：3
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：750mA
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8300DPWRQ1
上升时间：24ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：3
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：750mA
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4414YFT-TR
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4127YML-TR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8300DPWRQ1
上升时间：24ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：3
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：750mA
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8300DRGER
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：3
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：750mA
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"22+"：1060}
销售单位：个
规格型号(MPN)：6EDL7141XUMA1
ECCN：EAR99
驱动通道数：3
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5.5V~60V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4427VOA
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：19ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8300DIPWR
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：3
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：750mA
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4427AVOA713
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8300NPWR
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：3
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：750mA
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4427AVOA713
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8300DRGER
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：3
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：750mA
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8300DPWRQ1
上升时间：24ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：3
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：750mA
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8300DRGER
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：3
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：750mA
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8300DIPWR
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：3
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：750mA
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4426AVOA
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4427VOA713
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：19ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8300NRGER
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：3
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：750mA
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8300DPWRQ1
上升时间：24ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：3
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：750mA
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8300NPWR
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：3
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：750mA
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4426AVOA713
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8300NPWR
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：3
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：750mA
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4428VOA713
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：19ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8300NPWR
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：3
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：750mA
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4128YME-TR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8300DRGER
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：3
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：750mA
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：6EDL7141XUMA1
ECCN：EAR99
驱动通道数：3
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5.5V~60V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8300NRGER
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：3
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：750mA
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：6EDL7141XUMA1
ECCN：EAR99
驱动通道数：3
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5.5V~60V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
