采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27714DR
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"22+"：2147}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6615IRZ
上升时间：13ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：6.8V~13.2V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"14+"：2459}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6610CBZ
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：8ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"14+"：2459}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6610CBZ
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：8ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：490psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL2111ARTZ
上升时间：9ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：托盘
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2210FRTZ-T7A
上升时间：435ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：365ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：6V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21867SPBF
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"14+"：2459}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6610CBZ
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：8ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27211DRMT
上升时间：7.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：5.5ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27211ADRMR
上升时间：7.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：5.5ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27714D
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"19+"：4900}
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6615AIRZ
上升时间：13ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：6.8V~13.2V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL2111ARTZ-T
上升时间：9ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27211DPRT
上升时间：7.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：5.5ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27210D
上升时间：7.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：5.5ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL2111ARTZ-T
上升时间：9ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2210FRTZ-T
上升时间：435ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：365ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：6V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27211DRMR
上升时间：7.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：5.5ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27211DR
上升时间：7.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：5.5ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL78444AVEZ-T7A
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"22+"：2147}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6615IRZ
上升时间：13ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：6.8V~13.2V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27210DDAR
上升时间：7.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：5.5ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL78444AVEZ-T7A
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27211ADRMR
上升时间：7.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：5.5ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27211ADRMR
上升时间：7.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：5.5ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27211ADRMR
上升时间：7.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：5.5ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2210FRTZ-T
上升时间：435ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：365ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：6V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27210DDAR
上升时间：7.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：5.5ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27210DDAR
上升时间：7.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：5.5ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27714DR
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
