销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

峰值灌电流：4A

上升时间：6ns

驱动配置：低端

电源电压：4.5V~20V

ECCN：EAR99

下降时间：6ns

峰值拉电流：4A

包装方式：卷带（TR）

驱动通道数：2

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

峰值灌电流：4A

上升时间：6ns

驱动配置：低端

电源电压：4.5V~20V

ECCN：EAR99

下降时间：6ns

峰值拉电流：4A

包装方式：卷带（TR）

驱动通道数：2

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

峰值灌电流：4A

上升时间：6ns

驱动配置：低端

电源电压：4.5V~20V

ECCN：EAR99

下降时间：6ns

峰值拉电流：4A

包装方式：卷带（TR）

驱动通道数：2

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

峰值灌电流：4A

上升时间：6ns

驱动配置：低端

电源电压：4.5V~20V

ECCN：EAR99

下降时间：6ns

峰值拉电流：4A

包装方式：卷带（TR）

驱动通道数：2

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27517AQDBVRQ1

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27519DBVT

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27714DR

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27517DBVR

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27519AQDBVRQ1

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27517ADBVT

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7171MX-F085

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：高端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：1215，"23+"：2500}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2186STRPBF

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21867SPBF

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27714D

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27517DBVT

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：9599}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2186SPBF

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27517ADBVR

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1